通过金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在GaAs衬底上制备出了MgZnO p-n同质节。并对它的各种特性进行了测试与分析。样品的开启电压约......

采用MOCVD法在c面蓝宝石衬底上生长出了高质量的MgxZn1-xO薄膜.研究了退火对MgxZn1-xO薄膜各种特性的影响.将样品分别在真空和氧气......

通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）法在GaAs衬底上制备出了MgZnO/ZnO的p-n异质结,并研究了其I-V特性：开启电压约为3.6V,结特性良好.比......