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镉锰碲化合物相关论文
Cd0.9Mn0.1Te晶体生长及其缺陷分析
采用Bridgman法和ACRT-B法生长了两根Cd0.9Mn0.1Te晶锭(简称CMT-B和CMT-A).采用光学金相显微镜和扫描电镜研究了这两种方法生长的......
期刊
Cd1-xMnxTe
BRIDGMAN法
ACRT-B法
微裂纹
位错
晶体生长
单晶
镉锰碲化合物
半导体材料
缺陷
Cd09Mn01Te
Bridgman
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