长余辉发光机理相关硕士博士期刊学术论文

氮化铝（AlN）是直接带隙宽禁带（～6.02 eV）化合物半导体,其具有优异的声光学性质和电学性质,在光电子器件领域有着巨大的发展前景。但目前......