门极挖槽相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

门极挖槽相关论文

波状p基区IEC-GCT制造工艺研究

波状基区结构是一种电力半导体器件的最新高功率制造技术,在p基区中引入该结构可以改善IEC-GCT的RBSOA特性与门极开关均匀性。提出......

期刊

电力半导体器件门极换流晶闸管波状p基区制造工艺方案门极挖槽 power semiconductor device gate commutated thy

看过本文同时还关注