阳极吸附伏安法相关论文
本文介绍了在2.0mol/LHCl溶液中,锆—桑色素络合物吸附于CPE表面,阳极化线性扫描时在0.74V产生灵敏的二次导数峰,其峰电流与锆(Ⅳ)......
建立碳糊电极(CPE)阳极吸附伏安法测定水产品中孔雀石绿的方法。用石墨粉-液体石蜡(4∶1)制备CPE,在NH3?H2O-NH4Cl缓冲溶液(p H=8.......
制备了多壁碳纳米管(MWCNT)修饰碳糊电极,并研究了锆-钙-茜素红(ARS)异多核络合物在该电极上的阳极吸附伏安行为.该方法用于锆的测......
氧氟沙星(ofloxacin,简称OFLX)又名氟嗪酸,商品名为奥复星,是全合成的喹诺酮类广谱高效抗菌新药. 目前的主要分析方法有分光光度法......
吡哌酸(Pipmidic acid,简称PPA),是吡喹酮类合成抗菌药物,目前的主要分析方法有分光光度法[1-2]、交流示波滴定法[3]、高效液相色......
在0.40mol/L的NaAc-HAc（pH4.5）缓冲液中,使用JP-303极谱分析仪,依诺沙星在碳糊电极（CPE）上有一灵敏的吸附伏安氧化峰,峰电位为1.17V（vs.......
报道了用碳糊电极阳极吸附伏安法测定双酚A的方法。在Na2HPO4-NaH2PO4（pH 7.0）缓冲液中,双酚A在碳糊电极（CPE）上有一灵敏的吸附氧化峰,......
在0．40mol／L的HAc-NaAc（pH4．6）缓冲液中，阿司咪唑在碳糊电极（CPE）上有一灵敏的吸附氧化伏安峰，峰电位为0．84V（vs．SCE）。该氧化峰的二阶导数峰电......
研究了钒-络蓝黑R(EBBR)络合物在碳糊电极上的吸附伏安行为.在pH 4.7的 0.2 mol·L-1 HOAc-NaOAc缓冲溶液,于0.4 V富集,从0.4～1......
报道了用碳糊电极阳极吸附伏安法测定诺氟沙星的方法。在0.40 mol.L-1的NH4OAc-HOAc（pH 4.51）缓冲溶液中,诺氟沙星在碳糊电极（CPE）上有......
在0.40 mol/L的HAc-NaAc (pH4.9)缓冲液中,利福平在碳糊电极(CPE)上有一灵敏的吸附氧化峰,峰电位为0.86 V(vs.SCE).该氧化峰的二阶......
研究了单宁酸在碳糊电极上的伏安行为，实验表明在B-R缓冲溶液（pH=6．0）介质中，单宁酸的半阶微分曲线在0．38V（vs．SCE）有一灵敏的氧化峰，在2．0......
报道了在碳糊电极上络合吸附阳极伏安法测定钯的新方法。在PH4．2的HAc-NaAc缓冲溶液中，钯（Ⅱ）与丁二酮肟（DMG）形成的络合物在0．20V（vs．SCE）搅......
通过研究锆-茜素红络合物在碳黑微电极上的阳极吸附伏安行为，提出了一种测定痕量锆的新方法。在极谱分析仪上采用二次导数线性扫描......
研究了镓(Ⅲ)-茜素氨羧络合剂(ALC)在碳糊电极上的阳极吸附伏安行为,并以此建立了一种高灵敏度、高选择性测定镓的吸附伏安法.在0.......
目的：建立测定雷贝拉唑含量的新方法。方法：采用碳糊电极阳极吸附伏安法，在1．8mol／LH2SO4底液中，通过富集用碳糊电极阳极吸附伏安法研究......
提出了阳极吸附伏安法测定盐酸莫西沙星的方法。在pH 6.55的B-R缓冲溶液中,开路富集120s后,盐酸莫西沙星在碳糊电极表面于0.987V（vs......
制备了多壁碳纳米管修饰碳糊电极并研究了锆一茜素红络合物在该电极上的阳极吸附伏安行为，采用二阶导数线性扫描伏安法进行分析，实验......
以羧基化多壁碳纳米管（c-MWCNT）修饰的碳糊电极为工作电极,建立了一种无汞测定痕量铝的新方法。在0.1 mol/L的HAc-NaAc电解液（pH5.2）中......
A new sensitive adsorptive voltammetric method was described for the determination ofzirconium at a carbon paste electro......
报道了用碳糊电极阳极吸附伏安法测定环丙沙星的新方法.在0.40 mol/L的NH4Ac-HAc (pH4.30)缓冲液中,使用JP-303极谱分析仪,环丙沙......
研究了锆(Ⅳ)-邻苯二酚紫(PV)络合物在碳糊电极上的吸附伏安行为.测定锆最佳条件为:0.08 ml/L的HNO3为底液,于0.4V富集50 s,从0.4......
在O．40mol／L的NaAc-HAc（pH4．9）缓冲液中，使用JP-303极谱分析仪，培氟沙旱在碳糊电极（CPE）上有一灵敏的吸附伏安氧化峰，峰电位为1．03V（vs．SCE）。该......
在0.40 mol/L的HAc-NaAc（pH=4.8）缓冲溶液中,卡托普利（Captopril,CPT）在碳糊电极（CPE）上有一灵敏的吸附氧化峰,峰电位为0.23 V（vs.SCE）。该......
