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我们利用等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法和等离子体氧化技术原位制备了a-Si:H/SiO多层膜,并依据激光诱导限制结晶原理,用KrF准......
利用等离子增强化学气相淀积(PECVD)技术制备a-Si:H/SiO多层膜,并采用脉冲激光诱导限制结晶的方法,对a-Si:H/SiO多层膜进行晶化.喇......
利用等离子体增强化学气相沉积法制备Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜,分别使用热退火和激光辐照技术对多层膜进行退火,以构筑三维......
近年来,物理限制对聚氧化乙烯(PEO)结晶的影响成为研究的热点。这项工作不是通过物理或几何边界约束聚合物的结晶,而是研究了链结......
在等离子体增强化学气相淀积系统中,采用a-Si:H层淀积和原位等离子体氧化相结合的逐层生长技术制备了a-Si:H/SiO2多层膜.在激光诱......
利用等离子增强化学气相淀积(PECVD)技术制备a-Si:H/SiO多层膜,并采用脉冲激光诱导限制结晶的方法,对a-Si:H/SiO多层膜进行晶化.喇......
