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随机元素等位移模型相关论文
GaInP/AlGaInP多量子阱外延片的生长与光学性质研究
GaInP/(AlxGa1-x)InP多量子阱是生产高亮度发光二极管(LED)的理想材料结构。高亮度发光二极管是一种体积小、效率高、寿命长的新的固......
学位
多量子阱发光二极管
光致发光
喇曼
随机元素等位移模型
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