随着数据存储的需求不断增大,半导体存储器在国际市场的地位日益提升,研发半导体存储器在现代化的今天具有长远的战略意义。电荷陷......

目前,金属-氧化物-氮化物-氧化物-硅(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Si, MONOS)型存储器面临的挑战是如何在低的工作电压下,提高器件......

电荷陷阱型存储器作为传统悬浮栅Flash存储器的后时代应用，目前所面临的技术挑战是在不断缩小的工艺节点要求下，实现在降低工作电压......

随着微电子技术节点不断向前推进,基于传统浮栅结构的非挥发性存储器(NVM)技术遇到严重的技术难点,其中最主要的问题是SiO2隧穿层......

随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为......