集总参数元件相关论文
本文介绍了一种利用集总参数元件做匹配网络的超小型化低噪声放大器.借助于仿真软件,试验论证其结果得到:工作频率0.9GHz~1.25GHz;......
本文介绍了用于CDMA系统的低温低噪声放大器的研制.低噪声放大器工作在液氮温度下,工作频段为800-850MHz,在工作频段内,单级放大电......
该文给出了一种在微波低频段窄带带通滤波器的设计方法。采用集总参数元件与微带线相结合,并在微带谐振器之间加短截线的方法,以实现......
围绕第三代移动通信系统W-CDMA移动台中的频率合成器进行研究,采用美国国家半导体公司的小数分频双锁相环路LMX2350设计了专用于W-......
本文推导了无源器件在Yee氏网格中的公式, 建立了微带电路中含无源器件的不同模型,给出了计算结果并与理论值作了比较,说明了用时......
对基于涡旋谐振环的人工磁导体(AMC)结构引入介质损耗,得到了一种"高吸波率"吸波体,实现了单一频点2 GHz下较强的窄带吸波;然后加载集......
本文叙述了GaAs单片功率放大器的设计方法,给出了初步的实验结果.采用集总元件、制作在1×1.2mm芯片上的单级放大器,在1dB带宽340(......
低温共烧陶瓷(1ow temprature co_fired ceramic,LTCC)技术是一种立体、多层的布线技术,可灵活设计电感、电容元件,减小元件空间,......
<正> 一、引言半绝缘 GaAs 是一种低损耗,高介电常数、适合于微波集成电路使用的介质材料,例如用做微带衬底。这些性质与 GaAs MES......