硅基非晶薄膜以及镶嵌在非晶薄膜中的纳米硅材料近几年来已被广泛的研究,这些材料在许多方面,包括新型存储器件,新一代太阳能电池......

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使用90%N2稀释的SiH4与O2作为前驱气体,利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了非晶氮氧化硅薄膜(a-SiOxNy......

利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方程淀积的ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜。分析了气体流量比（Ｒ）、衬底温度（Ｔｓ）以及射频功率（Ｐｒｆ）的变化对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜中ＳｉＨ、ＮＨ和ＮＨ２基团的吸收......

采用PECVD技术在单晶硅（100）硅片表面沉积非晶氮化硅薄膜（-αSiNx）,通过改变压强,调节氮气流量制备样品,再对沉积态样品进行真空传统退......

用等离子体化学气相沉积法(PECVD)在玻璃基板上淀积了厚度约1μm的非晶氮化硅(a-SiNx∶H)薄膜,在最佳工艺下得到薄膜的性能参数,......

采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术,以SiH_4、NH_3和N_2为反应气体,研究氮气对制备氮化硅薄膜及其结构与性质影响.研究结果表......