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美高森美公司推出新一代1200V非穿通型(non。punchthrough,NPT)IGBT系列中的新产品。新的IGBT系列采用美高森美的PowerMOS8技术,总体开......
介绍了IGBT的发展历史,重点说明商品化第一代到第五代IGBT的结构和性能,并展望未来IGBT的发展趋势。......
美高森美公司推出新一代1200V非穿通型(non-punchthrough,NPT)系列的三款IGBT新产品:APT85GRl2082、APT85GRl20L和APT85GR120J。该产品......
研究了非穿通型(Non-PunchThrough,NPTI)GBT在77~300K之间的暂稳态特性。研究表明,低温环境下NPT-IGBT的通态压降、寄生PNP晶体管电......
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