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非箝位感性负载开关过程相关论文
超结器件工艺窗口改善与可靠性提升
超结MOSFET依靠二维电场的引入打破了“硅极限”。然而,其二维电场深受柱区电荷失衡的影响,而工艺误差的存在极易使电荷失衡,从而......
学位
超结MOSFET
电荷非平衡
击穿电压
非箝位感性负载开关过程
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