高关断能力相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

高关断能力相关论文

低导通损耗宽安全工作区4500V IGBT器件研制

基于“U”形增强型双扩散金属氧化物半导体(DMOS+)平面元胞、增强型受控缓冲层(CPT+)技术及结终端扩展(JTE)终端结构,通过引入载流......

期刊

安全工作区 V IGBT器件导通损耗高关断能力强型缓冲层工作结温载流子存储终端技术双扩散

看过本文同时还关注