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设计了一种基于28 nm CMOS工艺的低噪声高电源抑制LDO电路。采用折叠共源共栅结构设计了高输出阻抗、高增益误差的放大器，降低了电......
期刊
通过分析带隙电压基准源的PSR,发现运放的PSR为1时,基准电压将具有很高的PSR.基于该思想,在带隙电压基准源中引入PSR提高电路,实现......
基于TSMC0.5μm CMOS工艺,设计了一款带隙基准源电路。与传统电压基准相比,该电路运用高增益的运算放大器进行内部负反馈。采用嵌......
基于CSMC0．5μmBCD工艺，设计了一种应用于片上系统（SOC）芯片的低温漂高电源抑制的带隙基准电路．采用一种带有负反馈环路调整型的电压预......
带隙基准电压源是模拟集成电路中一个重要的单元,广泛应用于工程实际应用中。BiCMOS工艺是一种结合了Bipolar工艺和CMOS工艺各自优......
本文设计了一款600mA具有低的漏失电压,并且有很好稳定性、低静态电流的线性稳压器XD1409。它可集成在片上系统中,并且广泛应用于......
