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高速制膜法相关论文
非晶硅高速制膜法
日本工业技术院电子技术综台研究所研究了一种使用氟硅烷(SiH3F)气体的非晶硅高速制膜法。其制膜速度为目前硅烧(SiH4)气体的两倍......
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日本工业技术院电子技术综合研究所
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高速制膜法
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