【摘 要】
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作为锰氧化物的母体材料,LaMnO3由于其本身丰富的物理性能常被作模板来研究电子强关联体系的电荷、轨道、晶格、自旋的耦合。尽管LaMnO3本身是自旋有序的A型反铁磁,但在
【机 构】
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北京市清华大学材料学院先进材料教育部重点实验室,100084
【出 处】
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TFC`15全国薄膜技术学术研讨会
论文部分内容阅读
作为锰氧化物的母体材料,LaMnO3由于其本身丰富的物理性能常被作模板来研究电子强关联体系的电荷、轨道、晶格、自旋的耦合。尽管LaMnO3本身是自旋有序的A型反铁磁,但在沉积微薄膜时由于阳离子空位或是界面应力的作用往往表现为铁磁性。这种铁磁性常常是由Mn4+-O-Mn3+的双交换作用,我们通过沉积出氧空位的LaMnO3-δ薄膜证明了这种双交换作用也发生在Mn2+-O-Mn3+。同时,我们在单层的LaMnO3-δ薄膜发现了未被预期到的交换偏置效应。通过结合X射线吸收谱这种对电子比较敏感的检测手段,微观结构表征和磁学表征,我们发现了这种交换偏置的原因所在。这些表征都提供了强有力证据证明了这种交换偏置的产生是由于上层Mn2+-O-Mn3+交换耦合产生的铁磁层被下层Mn3+离子富集所产生的反铁磁层钉扎。
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