【摘 要】
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设计两步合成路线制备钴掺杂NiSe2纳米片:以泡沫镍(NF)为基底,氯化镍为镍源,二氧化硒为硒源,通过常温电沉积法,在-0.35V(vs SCE)电压下制备NiSe2/NF 前驱体,再通过简单的
【机 构】
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安徽师范大学,化学与材料科学学院,功能分子固体教育部重点实验室,芜湖,241002
【出 处】
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2018中西部地区无机化学化工学术研讨会
论文部分内容阅读
设计两步合成路线制备钴掺杂NiSe2纳米片:以泡沫镍(NF)为基底,氯化镍为镍源,二氧化硒为硒源,通过常温电沉积法,在-0.35V(vs SCE)电压下制备NiSe2/NF 前驱体,再通过简单的离子交换法,以氯化钴为钴源,在溶剂热条件下制备出钴掺杂的NiSe2 纳米片.同时,改变钴源浓度,从而制备出不同钴掺杂量的NiSe2.通过场发射扫描电镜,X 射线粉末衍射,X 射线衍射能谱分析表征所得产物.结果发现,掺杂产物Co0.12Ni0.88Se2/NF 为纳米片组成的多孔结构,比表面积较大.同时,相比于NiSe2/NF 前驱体,Co0.12Ni0.88Se2/NF 导电性,电催化性能有较大提高,在110mV 过电位下可产生10mA cm-2 电流密度,同时显示出优异的析氢稳定性.
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