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本文介绍了一种硅基锗硅异质结晶体管的结构.报导了与硅基单层多晶硅发射极工艺兼容的硅基锗异质结19级环振电路的研制、简要工艺流程、锗硅基区结构、硅基锗硅异质结晶体管的性能,19级环振电路的设计及测试结果.
门延迟小于100ps的硅基锗硅异质结19级环振电路的研究
【摘 要】
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本文介绍了一种硅基锗硅异质结晶体管的结构.报导了与硅基单层多晶硅发射极工艺兼容的硅基锗异质结19级环振电路的研制、简要工艺流程、锗硅基区结构、硅基锗硅异质结晶体管
【机 构】
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北京大学微电子所(北京)
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年期
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