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氮化铝(AlN)是宽禁带半导体材料(氮化镓、碳化硅、金刚石等)的典型代表之一，具有宽带隙、高激子结合能、高熔点、高临界击穿场强、高硬度、高热导率、高温热稳定性和耐化学腐蚀等优异特性。
从自发成核到籽晶诱导生长氮化铝晶体研究
【摘 要】
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氮化铝(AlN)是宽禁带半导体材料(氮化镓、碳化硅、金刚石等)的典型代表之一，具有宽带隙、高激子结合能、高熔点、高临界击穿场强、高硬度、高热导率、高温热稳定性和耐化学腐蚀等优异特性。
【机 构】
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深圳大学物理与光电工程学院
【出 处】
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2021光电子材料与器件发展论坛
【发表日期】
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2021年10期
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