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室温下在p-SI(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的，XRC测量则表明了ZnO的高质量。在室温下的PL测量中见到了 带边发射，其强度与晶体质量有关。
在p-SI(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性
【摘 要】
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室温下在p-SI(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的，XRC测量则表明了ZnO的高质量。在室温下的PL测量中见到了 带边发射
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室(北京)
【出 处】
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全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2000年期
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