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在p-SI(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性
在p-SI(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性
来源 :全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zzdlily_4000
【摘 要】
:
室温下在p-SI(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的,XRC测量则表明了ZnO的高质量。在室温下的PL测量中见到了 带边发射
【作 者】
:
姚振钰
柴春林
贺洪波
【机 构】
:
中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室(北京)
【出 处】
:
全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
:
2000年期
【关键词】
:
直流反应磁控溅射法
结构
室温下
测量表
晶体质量
外延生长
取向生长
带边发射
薄膜
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室温下在p-SI(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的,XRC测量则表明了ZnO的高质量。在室温下的PL测量中见到了 带边发射,其强度与晶体质量有关。
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