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对于氧化物半导体材料,p型透明导体和光伏材料是两类非常有吸引力的应用体系,但性能都相对较差。影响其性能的主要瓶颈在于较低的空穴迁移率,这与O原子相对局域的2p电子态密切相关。一个有效的解决方案是通过O-2p电子与其他原子的电子态杂化来提高价带顶的能带曲率、即空穴的有效质量,例如CuAlO2体系中p-d电子耦合。