【摘 要】
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利用MOCVD方法Si(111)衬底上成功生长出高质量的p-GaN,经原位退火和快速热退火(RTA)处理后,宽穴浓度达到7.84×10cm,迁移率5.54cm/Vs,电阻率0.144Ωcm.对p-GaN Raman分析得出RTA能有效消除Mg-H复合体振动模产生的峰,说明RTA对Mg的激活效果好.对p-GaN DCXRD(双晶衍射)测试得出RTA处理前后的半高宽分别为580arcsec和560ar
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
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利用MOCVD方法Si(111)衬底上成功生长出高质量的p-GaN,经原位退火和快速热退火(RTA)处理后,宽穴浓度达到7.84×10<18>cm<-13>,迁移率5.54cm<2>/Vs,电阻率0.144Ωcm<-1>.对p-GaN Raman分析得出RTA能有效消除Mg-H复合体振动模产生的峰,说明RTA对Mg的激活效果好.对p-GaN DCXRD(双晶衍射)测试得出RTA处理前后的半高宽分别为580arcsec和560arcsec,这表明RTA对晶体质量也有所提高.
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