论文部分内容阅读
在制造PIN光电二极管的过程中,我们选用溅射Ti/ALsi,经湿法腐蚀后,测试芯片暗电流,发现在偏压比较高时暗电流增大,不符合要求.于是对比进行溅射ALsi,同样用湿法腐蚀后,测试芯片暗电流.试验对比表明,在同样偏压下,选用ALsi金属化工艺比选用Ti/ALsi金属化工艺可以获得更低的暗电流.尤其在比较高的偏压下,ALsi金属化工艺比Ti/ALsi金属化工艺的暗电流小将近一个数量级.