直流等离子体浸没式离子注入

来源 :第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cr_idealism

【摘要】

：

在SOI材料的制备技术中,为了减少离子的浪费和提高注入能量,避免采用更大的真空室和高压脉冲调制器,本文提出了直流等离子体浸没式离子注入技术,并对其原理进行探讨.

【作者】

：

核工业西南物理研究院粒子注入中心香港进科研发有限公司曾旭初郭达勤傅劲裕朱剑豪许泽金陈庆川童洪辉

【机构】

：

香港城市大学物理及材料科学系

【出处】

：

第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

【发表日期】

：

2001年期

【关键词】

：

直流等离子体高压脉冲调制器离子注入技术注入能量制备技术真空室浸没式原理材料

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