Ⅴ-defects formation in MOCVD-grown (In)GaN surfaces

来源 :第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：qqq1234qqqqqqq

【作者】

：

Feng Zhang Masao Ikeda Jianping Liu Shuming Zhang Kun Zhou AiqinTian Yang Cheng Hui Yang

【机构】

：

Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics,CAS,Suzhou,215123

【出处】

：

第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

【发表日期】

：

2015年期

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