论文部分内容阅读
高电子迁移率晶体管(HEMT)自问世30多年来已经在各类高速电学器件中得到广泛应用。近年来,Sb化物半导体具有高的电子迁移率、低的工作电压而成为近年来发展新一代高速低功耗器件的热门材料。然而要实现Sb化物材料CMOS逻辑电路关键的p型沟道场效应管,一个挑战性难题是如何大幅度提升p型沟道空穴迁移率。本文在InAs/AlSb高电子迁移率晶体管研究基础上,用VEECO GenII分子束外延系统,成功生长了GaAs(001)基InGaSb/AlGaSb量子阱,其面载流了密度为0.877X1012/cm2,室温下空穴迁移率达到1000cm2/Vs。