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自1968年起,对于SiO<,2>的蜕变与击穿是由于电应力导致缺陷产生的论点,已经历了长达三十多年的研究,产生了多种模型解释.其中有两种主流模型可用于TDDB(时变相关介质击穿).
超薄栅介质MOS结构中的电致光子泵效应
【摘 要】
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自1968年起,对于SiO的蜕变与击穿是由于电应力导致缺陷产生的论点,已经历了长达三十多年的研究,产生了多种模型解释.其中有两种主流模型可用于TDDB(时变相关介质击穿).
【机 构】
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北京大学微电子研究院(北京)
【出 处】
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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
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2003年期
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