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该文给出了一个为卫星通信地面站研制的3.7～4.2GHz低噪声致冷GaAsFET放大器。由于采用V—M小型制冷设备，大大降低了放大器工作环境温度，使得放大器噪声性能得到显著改善。当放大器工作于175K环境温度下时，其等效噪声温度小于55K。（本刊录）
低噪声致冷GaAsFET放大器
【摘 要】
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该文给出了一个为卫星通信地面站研制的3.7～4.2GHz低噪声致冷GaAsFET放大器。由于采用V—M小型制冷设备，大大降低了放大器工作环境温度，使得放大器噪声性能得到显著改善。当放大
【机 构】
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电子部第54研究所
【出 处】
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全国卫星通信与微波通信学术交流会
【发表日期】
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1985年期
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