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采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在具有GaAs夹层的衬底上成功的制备出As掺杂p型ZnO薄膜。室温Hall测试结果显示,空穴浓度为2×1017cm-3;XPS测试结果显示,As原子以As-O键的形式存在于p—ZnO薄膜中;利用低温光致发光(PL)测试结果可计算出As受主能级位于距价带顶137 meV处。另外,采用GaAs夹层掺杂法,在n-Si衬底上制备出了p—ZnO:As/n—Si异质结器件,其I—V曲线呈良好的p—n结整流特性。