【摘 要】
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热自旋电子学及其自旋赛贝克(Seebeck)效应的研究,对基础物理研究和未来低能耗技术具有重要的意义;而自旋赛贝克二级管是指在该器件中,温度梯度将驱动自旋流,而当温度梯度反
【机 构】
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华中科技大学物理学院,湖北省武汉市,430074;国家脉冲强磁场中心(筹)湖北省武汉市430074华中科技大学物理学院,湖北省武汉市,430074
【出 处】
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湖北省物理学会、武汉物理学会2015学术年会
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热自旋电子学及其自旋赛贝克(Seebeck)效应的研究,对基础物理研究和未来低能耗技术具有重要的意义;而自旋赛贝克二级管是指在该器件中,温度梯度将驱动自旋流,而当温度梯度反向时,通过器件的自旋流将被抑制.该装置是设计热自旋电子学器件的关键单元.在本工作中,我们在理论上提出采用二维硅烯纳米带和黑磷纳米带来设计自旋赛贝克二级管.由于器件存在特殊的能带结构和磁性态,热激发的自选向上的自旋流和自旋向下的自选流的流向刚好相反;而且,不同自旋取向的自旋流的大小也近似相等,使得通过器件的电荷流近似为零,但却表现出较强的自旋流,说明在该器件中近似完美的自旋赛贝克效应的产生.而且,由于源级和漏级的能隙不同,使得器件的温度梯度大到一定的值后,器件的自旋流才导通,反之,自旋流将会被抑制.
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