【摘 要】
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本文介绍浪潮华光光电子股份有限公司在CriusⅡ机型上实现高亮度蓝光LED外延片的量产工作.我们针对Cruis Ⅱ设备的特点,设计了独特的外延结构,并对其温度、压力、流量等关键的生长参数进行细致的优化.使用该程序生长的外延片,在亮度、电压、ESD、一致性等方面均有非常良好的表现.
【机 构】
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浪潮华光光电子股份有限公司,潍坊261000
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本文介绍浪潮华光光电子股份有限公司在CriusⅡ机型上实现高亮度蓝光LED外延片的量产工作.我们针对Cruis Ⅱ设备的特点,设计了独特的外延结构,并对其温度、压力、流量等关键的生长参数进行细致的优化.使用该程序生长的外延片,在亮度、电压、ESD、一致性等方面均有非常良好的表现.
其他文献
基于Ⅲ族氮化物的固态雪崩光电探测器(APD)因具有低操作电压、低功耗、小尺寸、无需冷却等优点而适合集成到航天飞机、卫星和一些军事装备上.具有本征日盲特征的AlGaN-APDs能够在太阳辐射背景下探测微弱甚至是单光子的日盲波段光信号,有希望部分替代目前需要在高压下操作的易碎的光电培增管.
在Ⅲ族氮化物的MOCVD中,由于气相寄生反应的存在,使薄膜生长效率下降.寄生反应随温度、压强、驻留时间等的增加而增加,不仅造成薄膜质量下降,生长速率下降,而且大部分MO源最终转化为纳米粒子,浪费了宝贵的源气体.在Ⅲ族元素Al、Ga、In与V族元素N的结合中,化学键能分别为2.88、2.20、1.98 eV,其中Al-N化学键能较强,而Ga-N和In-N化学键能较弱且二者接近.
GaSb具有闪锌矿晶体结构,晶格常数为6.1(A),是直接带隙半导体材料.该材料是锑化物半导体的代表,具有低电阻率和高电子迁移率.GaSb及其他锑化物半导体近年来被广泛应用于超高速超低功率器件、微波单片集成电路、红外焦平面阵列探测、热光伏器件、中红外波段量子点激光器、量子级联激光器、共振隧穿二极管等领域.
随着数字通信需求的快速增长,过去数年来全球光通讯产业取得了飞速发展.由于光纤的损耗和色散在1310nm和1550nm波长附近最小,1.3μ m和1.55 μ m波段半导体激光器成为光通讯中最重要的光源.为了降低成本,通信系统需要高温下不带致冷器工作的激光器.AlGaInAs/InP材料的导带偏移为△Ec=0.72△Eg,InGaAsP/InP材料的△Ec=0.4△Eg[1,2],所以AlGaInA
InSb作为最重要的n-型Ⅲ-Ⅴ族窄带隙半导体之一,是Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中电子迁移率最高、电子有效质量最小、朗德g因子最大的半导体材料.目前基于硅材料的CMOS技术很难突破600 GHz的器件速度瓶颈,而采用具有高迁移率的InSb半导体纳米线制成的纳米器件工作截止频率理论上可达到数个THz,因此有望成为未来超高速响应系统和集成电路的重要基本元件.
GaN/InGaN基高In组分量子阱LED的生长是继蓝光GaN/InGaN量子阱LED之后备受关注的研究,但是相比蓝光LED,其发光效率,材料稳定性仍有一定差距.目前黄-绿光LED是LED产业的一个研究重点,但是其应用还不是非常广泛.而对于Si衬底因其尺寸大、规模效益高,成本低,已越来越多被使用.
GaN-based Light Emitting Diodes (LEDs) are being broadly used for various applications, such as displays, solid-state lighting (SSL) and etc.[1-2].With the advantage of high luminous efficacy (high lm
近年来,对于GaN基纳米柱发光二级管(LED)的探索有了突飞猛进的发展.纳米柱LED相比于大尺寸LED具有很多突出优点,比如位错密度低,应力失配小,注入效率高,大注入下高效工作,消除导波模式等等.GaN基纳米柱LED的制备方法包括"自下而上"和"自上而下"两大类方法."自上而下"的方法是在高质量的GaN基LED外延片上,利用纳米尺寸的掩膜,进行湿法或干法腐蚀,得到纳米柱阵列.
由于GaN纳米材料具有不同于体材料的独特性质及其在电子学、光子学、超高密度存储等方面的广泛的应用前景,近年来关于GaN纳米结构的研究越来越受到人们的关注,一种新的GaN纳米结构的制备方法迅速跃入人们的视野:用自组织的镍纳米岛作为掩膜来进行GaN纳米结构的制备.本文采用上述方法进行GaN纳米柱的制备.
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