【摘 要】
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研究了用分子束外延(MBE)的方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面平整度为1.
【机 构】
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中科院半导体研究所材料中心,北京,100083
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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研究了用分子束外延(MBE)的方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面平整度为1.79 nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率为ρ=2.6×104Ω·cm.电学性能测试表明200 V电压间距1 mm时,漏电流仅为0.3μA.高分辨X射线测试显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温度HALL测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制.
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