【摘 要】
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我们将简单回顾ZnO发展历史,综述近期领域内p型掺杂的研究进展,并着重探讨BeZnO这一新兴体系在解决p型掺杂以及应用于深紫外探测器件方面的机遇与挑战.围绕该体系,我们将
【机 构】
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中山大学,物理科学与技术学院,光电材料国家重点实验室,广州510275
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我们将简单回顾ZnO发展历史,综述近期领域内p型掺杂的研究进展,并着重探讨BeZnO这一新兴体系在解决p型掺杂以及应用于深紫外探测器件方面的机遇与挑战.围绕该体系,我们将汇报以下方面的进展.首先,通过插入金属缓冲层,由分子束外延(MBE)技术生长得到了高结晶度、低背景电子浓度的ZnO薄膜,XRD测试显示薄膜的半宽小于0.028°.以此工艺为基础,结合BeO的生长窗口,得到了在Be含量0-15％之内连续可调的均相BeZnO合金.当Be含量高于15％时,实验发现材料出现明显分相,DFT计算与实验研究均表明Mg原子的引入将有助于抑制相分离的发生.基于高Be含量的均相BeMgZnO合金,开发了日盲紫外探测器,由于BeO禁带宽度高达10.6eV,器件响应波长截止于240 nm.最后,由于Be-N键较Zn-N键更强,DFT计算表明Be具有一定的固氮作用,我们将展示BeZnO体系N掺杂的初步实验尝试.
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