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本实验采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP 衬底上制备In0.82Ga0.18As 材料。研究缓冲层厚度对In0.82Ga0.18As 外延层结晶质量和表面形貌的影响。X 射线衍射(XRD)表征外延层的结晶质量。扫描电子显微镜(SEM) 观察样品的表面形貌。XRD和SEM的结果表明，当缓冲层的厚度为100nm 时，样品的结晶质量和表面形貌最佳。