两步生长法相关论文
采用新型的低压化学气相沉积(LPCVD)镀膜工艺技术-两步生长法(即第一步在玻璃基板上沉积ZnO∶B种籽层,第二步再调整工艺参数来快速......
本实验采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP 衬底上制备In0.82Ga0.18As 材料。研究缓冲层厚度对In0.82Ga......
GaN，GaP(Ga(N，P))是重要的III-V族半导体材料，被广泛应用在发光二极管、光电探测器、场效应晶体管、太阳能电池等光电器件上。由于准......
本文报道了一种利用两步热丝化学气相沉积法来提高金刚石薄膜质量的方法，在Si（100）基体上获得了面积45cm^2、厚度60μm的金刚石薄膜。......
利用LP-MOCVD技术，采用两步生长法，在（100）GaAs单晶衬底上生长高质量的InAs0.9Sb0.1。用扫描电镜、X射线单晶衍射、Hall测量以及Raman......
利用LP-MOCVD技术,采用两步生长法在GaAs（100）单晶衬底上外延生长InxGa1-xAs材料。通过扫描电子显微镜（SEM）与原子力显微镜（AFM）观察了缓......
In GaAs是1-3μm近红外波段重要的探测材料。高In组分的InxGa1-xAs（x>0.53）由于没有同质衬底,在生长中则会出现晶格失配,使外延层质......
InGaAs/GaAs失配异质结材料有较高的电子迁移率、材料稳定性好，并且带隙在一定范围内(0.36-1.42eV)可调等优点，在光电子器件领域有着......
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在13μm的近红外波段,InxGa1-xAs是非常重要的红外探测材料。与传统的HgCdTe材料和锑化物材料相比,三元InxGa1-xAs材料具有较高的......
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