用等离子体在室温下向硅表面掺入固态杂质

来源 :第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wnijiushisb
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由于Si 和Ge 有着高达4.2%的晶格失配度,在Si 衬底上外延低位错密度的Ge 仍然是一个很大的挑战.为了在Si 衬底上异质外延出高质量的Ge 层,文献报道了许多方法和技术[1-3],其中低温Ge 缓冲层技术由于工艺简单,过渡层薄,材料表面平整,成为目前Si 基Ge 材料生长的主要方法.然而基于低温Ge 缓冲层外延的Si 基Ge 材料的位错密度仍然偏高,传统的循环退火过程虽然可以减小位错,但会
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满足通信波长要求的高效的硅基光源是目前硅基光电中亟待解决的首要难题,硅基铒发光波长位于~1.5μm,恰好满足这一需求.硅基掺铒体系由于掺铒浓度较高时有浓度猝灭等问题存在制约了发光强度的提高,所以近年来研究人员转向研究硅基铒化合物如硅酸铒的发光[1-6].但是目前研究的硅酸铒光致发光大多通过共振激发才能激发,电致发光也大多通过碰撞离化方式,这种方式很难得到高效地硅基光源.多孔硅巨大的表面积可以填充很
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