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该文采用MOCVD方法，在SiO<,2>／Si衬底上制备出了高取向锐钛矿TiO<,2>薄膜。研究了工艺条件对薄膜取向度的影响规律。结果表明，沉积温度的提高有利于薄膜晶化，可以提高薄膜的取向度，而衬底材料对薄膜取向度的影响不大。
工艺条件对TiO<,2>薄膜取向度的影响
【摘 要】
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该文采用MOCVD方法，在SiO／Si衬底上制备出了高取向锐钛矿TiO薄膜。研究了工艺条件对薄膜取向度的影响规律。结果表明，沉积温度的提高有利于薄膜晶化，可以提高薄膜的取向度，而衬底
【机 构】
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科学院上海冶金研究所
【出 处】
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第六届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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1998年期
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