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本文以单晶硅(111)为研究对象，对单晶硅片进行碳离子注入，注入剂量为2×1016ions/cm2，注入能量分别为60 keV和80 keV。在UMT-2型微摩擦试验机上开展碳离子注入前后硅片的微动摩擦磨损试验，采用超高精度三雏形貌仪测量硅片的磨损深度，利用S-3000N型扫描电子显微镜表征硅片的磨损形貌及磨损机理。结果表明，碳离子注入后硅片的减摩效果和抗磨性能得到明显改善;硅片的摩擦系数和磨损深度均随着载荷、微动振幅的增加而增大，且当载荷达到一定值，离子注入层随着时间的推移被磨破，摩擦系数迅速增加并产生磨痕;注入能量60 KeV的硅片的减摩抗磨性能较好;碳离子注入前后硅片的磨损机制主要以磨粒磨损为主。