【摘 要】
:
CMOS集成电路由于自身的优秀的性能,已经广泛的应用在各个领域,伴随着电子产品功能的不断增强,集成电路复杂程度的逐步提高,其质量和可靠性也成为人们普遍关注的焦点.本文对C
【机 构】
:
北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性研究室,北京,100022
【出 处】
:
第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
CMOS集成电路由于自身的优秀的性能,已经广泛的应用在各个领域,伴随着电子产品功能的不断增强,集成电路复杂程度的逐步提高,其质量和可靠性也成为人们普遍关注的焦点.本文对CMOS集成电路可靠性评价技术进行了探索,改进了一种评价方法,通过直接建立器件失效敏感参数退化率与应力水平之间的关系,就可以由单支样品的数据,提取器件某一参数退化所对应的激活能,并外推其正常使用条件下的寿命.
其他文献
本文重点介绍了新近研制开发的适合国内外半导体相关行业需求的大面积光刻机的设计方案、总体结构组成、工作原理及技术措施.该设备可根据用户不同使用需求进行掩模变换,实现
本文首先简要介绍了URE-2000S系列双面光刻机的研制背景及总体性能,然后着重介绍了URE_2000S系列双面光刻机的工作原理、系统组成及结构特点.
本文采用三维时域有限差分算法(3D-FDTD)对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(QWIP)的顶部光栅结构的光场分布进行了仿真分析,得到了多种不同周期、占空比、深度的二维光子晶体结
众所周知,采用LEC方式生长的砷化镓晶体内在应力大于其它生长方式约10倍左右,切割中如何降低"裂纹"断底":对其应力进行控制,已是目前大直径LEC薄片加工中重要问题,本文重点对
本文在考虑发射结电压随温度的变化和发射极加入镇流电阻的情况下,给出简化的三维热电模型,用以计算功率HBT芯片表面温度分布.我们发现对于采用均匀发射极镇流电阻的功率HBT,
本文在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成结构.所制备RTD的峰谷电流比最高17.0,阻性截至频率大于20.5 GHz.栅长为1um的HEMT截至频率19.8 GHz,最大
本文提出并搭建了一套可用于毫米波功放芯片(MMIC)功率测试的脉冲测量系统,对于未封装的裸片可实现在片测量;对于已经封装好的芯片,可以免除添加大散热片的工作.对实际的Ka波
本文对于W通孔多层金属化系统来说,金属离子蓄水池效应对其电迁移寿命的影响很大.本文中设计了12种不同的蓄水池结构,进行电迁移实验.考察了蓄水池面积、通孔位置、数目及大
本文提出了电子束重复增量扫描曝光技术新概念.文中对吸收能量密度与深度和曝光剂量之间的关系、溶解速度与吸收能量密度之间的关系进行了理论分析,发现溶解速度随曝光剂量增
随着电子束光刻及深紫外光刻的方法更多的应用到纳米光子器件制作中,使得光器件的体积大大缩小,越来越多的功能可以集成到同一个光子集成回路中.本文深入的研究了电子束光刻