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在(0001)单面抛光蓝宝石衬底上,用MOCVD外延生长了n-GaN/GaN-InGaN MQWs/p-aN结构材料,并研制出了太阳能电池原型器件,25℃-AMl.5光谱辐照下电池转换效率为0.25％.较低的转换效率主要归因于电池较大的串联电阻,较低的开路电压和较小的短路电流。
InGaN太阳能电池的研制
【摘 要】
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在(0001)单面抛光蓝宝石衬底上,用MOCVD外延生长了n-GaN/GaN-InGaN MQWs/p-aN结构材料,并研制出了太阳能电池原型器件,25℃-AMl.5光谱辐照下电池转换效率为0.25％.较低的转
【作 者】
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【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京100083KeyLabofSemiconductorMaterialsScience,InstituteofSemiconductors,Chinese
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2012年11期
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