【摘 要】
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采用脉冲激光沉积法(PLD)分别在Pt/Ti/SiO/Si和SiO/Si衬底上制备了ZrO薄膜,采用扩展电阻法研究了薄膜纵向电阻分布;通过XRD测试研究了衬底温度对ZrO薄膜结晶性能的影响;薄膜
【机 构】
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中国科学院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室(上海)
【出 处】
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第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会
论文部分内容阅读
采用脉冲激光沉积法(PLD)分别在Pt/Ti/SiO<,2>/Si和SiO<,2>/Si衬底上制备了ZrO<,2>薄膜,采用扩展电阻法研究了薄膜纵向电阻分布;通过XRD测试研究了衬底温度对ZrO<,2>薄膜结晶性能的影响;薄膜表面形貌通过SEM观察,并测试了薄膜的表面粗糙度;初步讨论了薄膜结晶性能对其电学I-V特性之间的关系.
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