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为提高p-i-n 型非晶硅/非晶硅锗/微晶硅(a-Si/a-SiGe/μc-Si)三结叠层薄膜电池的效率，本文分别从透明导电窗口层、非晶硅顶电池、非晶硅锗中间电池、微晶硅底电池和隧穿结进行了研究。
高效p-i-n型非晶硅/非晶硅锗/微晶硅三结叠层电池的研究
【摘 要】
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为提高p-i-n 型非晶硅/非晶硅锗/微晶硅(a-Si/a-SiGe/μc-Si)三结叠层薄膜电池的效率，本文分别从透明导电窗口层、非晶硅顶电池、非晶硅锗中间电池、微晶硅底电池和隧穿结
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071
【出 处】
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第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会
【发表日期】
：
2014年期
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