【摘 要】
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利用MOCVD的方法用在Si(111)衬底上以AlN为缓冲层生长了GaN基多量子阱LED外延层.通过衬底转移技术,在薄膜芯片工艺的基础上结合了倒装芯片的设计,制备了具有高取光效率的LED芯片.对封装好的1.1×1.1mm2蓝光和白光灯分别进行测试.在350mA正向电流下,硅胶封装的蓝光LED灯的光输出功率为546 mW,外量子效率为50.3％.相同正向电流下,标准YAG荧光粉封装白光灯的光通量为1
【机 构】
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Lattice Power(Jiangxi),Corporation,Nanchang 330029,China
【出 处】
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第十三届全国LED产业发展与技术研讨会
论文部分内容阅读
利用MOCVD的方法用在Si(111)衬底上以AlN为缓冲层生长了GaN基多量子阱LED外延层.通过衬底转移技术,在薄膜芯片工艺的基础上结合了倒装芯片的设计,制备了具有高取光效率的LED芯片.对封装好的1.1×1.1mm2蓝光和白光灯分别进行测试.在350mA正向电流下,硅胶封装的蓝光LED灯的光输出功率为546 mW,外量子效率为50.3％.相同正向电流下,标准YAG荧光粉封装白光灯的光通量为120.1lm.
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