【摘 要】
:
利用MOCVD的方法用在Si(111)衬底上以AlN为缓冲层生长了GaN基多量子阱LED外延层.通过衬底转移技术,在薄膜芯片工艺的基础上结合了倒装芯片的设计,制备了具有高取光效率的LED芯片.对封装好的1.1×1.1mm2蓝光和白光灯分别进行测试.在350mA正向电流下,硅胶封装的蓝光LED灯的光输出功率为546 mW,外量子效率为50.3%.相同正向电流下,标准YAG荧光粉封装白光灯的光通量为1
【机 构】
:
Lattice Power(Jiangxi),Corporation,Nanchang 330029,China
【出 处】
:
第十三届全国LED产业发展与技术研讨会
论文部分内容阅读
利用MOCVD的方法用在Si(111)衬底上以AlN为缓冲层生长了GaN基多量子阱LED外延层.通过衬底转移技术,在薄膜芯片工艺的基础上结合了倒装芯片的设计,制备了具有高取光效率的LED芯片.对封装好的1.1×1.1mm2蓝光和白光灯分别进行测试.在350mA正向电流下,硅胶封装的蓝光LED灯的光输出功率为546 mW,外量子效率为50.3%.相同正向电流下,标准YAG荧光粉封装白光灯的光通量为120.1lm.
其他文献
本文在对Android开发平台和移动应用开发的技术现状的研究与分析基础之上,提出了一种Android发行版应用(release.APK)自动生成系统的实现机制.该系统将能够在当前移动互联网与移动多媒体应用迅速发展的背景下,为移动应用开发者提供一种快捷、方便、可兼容多平台的应用开发技术途径,使得各类机构和用户能够量身定制自身的移动信息发布和移动业务处理应用.
针对目前常用的LED结构以及图形化衬底单元图形,通过软件设计与模拟,研究了衬底单元图形对光线传播的具体影响,同时具体分析了单元图形高度、底面半径以及相邻图形间距对芯片光提取效率的影响,结果得到单元图形高度1.5um、侧面倾角51度,相邻图形间距0.5um的优化参数设置.
宽带隙氮化镓(GaN)单晶材料可应用于制备高频、高功率、耐高温的微电子器件,实现发光波长覆盖整个可见光波段的光电子器件,在航空航天军事领域以及日常照明与显示等商业领域具有巨大的应用前景。目前较成熟的制备GaN材料的氢化物气相外延技术(HVPE)与金属有机化合物化学气相沉积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)外延技术都是在异质衬底上生长的外延
为了减少发光量子阱区的缺陷,缓解量子阱区的应力,减小极化效应,提高量子阱结晶质量,降低效率衰减,提高发光效率,本文采用了n-AlInGaN作为CART中的垒的新型LED结构,实验数据表明,由于Si的掺杂,采用n-AlInGaN作为垒层没有造成正向工作电压的提高,原子力显微镜结果显示,用n-AlInGaN作为CART中的垒能有效的截止底层产生的刃型位错。由于极化作用的减小,发现器件的发光效率得到了提
本文研究通过原位的反射式高能电子衍射(RHEED)和反射谱研究了在蓝宝石衬底上生长的InGaN纳米杆的生长机制, InGaN在蓝宝石上首先是二维生长,由于InGaN和蓝宝石的晶格失配,InGaN薄膜中有很大的应力,随着厚度的增加,达到一个临界厚度后应力释放,转化为三维岛状生长,随着生长的进行在这些岛上继续生长成纳米杆,通过控制生长时间,可以实现杆到薄膜的转变,另外通过使用AlN缓冲层的使用,在硅衬
研究了3D层的生长温度对蓝宝石图形化衬底上生长GaN性能的影响。采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD),在2英寸蓝宝石图形化衬底上生长GaN基LED外延层,改变3D生长层的温度,其余各层的生长条件相同,制成四个样品。然后分别采用X射线衍射摇摆曲线(XRD),原子力显微镜(AFM)以及扫描电子显微镜(SEM)对样品进行分析,并将四个样品的LED结构外延片制作成300μm×300μm的标准小芯片,
本文制备了一种纳米氧化硅抛光液,采用扫描电镜、激光粒度仪、大颗粒计数仪对其进行了表征.进而研究了其在蓝宝石表面的抛光性能,采用FRT、Candela、原子力显微镜等对抛光后的表面进行了表征.结果表明制备的纳米氧化硅抛光液在LED蓝宝石衬底表面具有优异的抛光性能,达到了无划伤、无腐蚀坑,且粗糙度小于0.2 nm的光滑表面.
气体纯化技术对于保证半导体行业发展至关重要,本文分析了半导体行业对气体的需求指标及现有气体纯化工艺的局限。介绍了采用催化、吸附、吸气剂等技术联用,对氮气、氢气、氩气等进行超纯气体纯化的系列新工艺。该系列工艺配合使用洁净管道、管件、阀门、洁净施工,所生产出的纯化器产气纯度可达8N以上,各种有害杂质均小于1ppb,确定了所开发的氮气、氢气、氩气纯化工艺产气指标、抗波动能力及适用性均可满足半导体行业发展
本文介绍了三安光电公司研发和生产的AlGaInP-LED薄膜RS系列芯片产品产业化技术现状.通过采用多项先进工艺和质量控制技术,产业化生产的RS-LED外延片和芯片具有良好的性能及可靠性.其中RS-LED芯片产品通过采用全方位反射镜、衬底转移、金属键合和表面粗糙化等关键工艺技术,实现了良好的大电流特性和电流扩展性能,亮度指标大幅提升,红光RS-LED芯片最高亮度达550mcd,Au-To封装后器件
采用软模板压印技术和双层光刻胶技术在基于图形衬底制备的GaN基蓝光外延片上制备p-GaN和 ITO 表面纳米图形的大功率LED.纳米图形在基底上大面积形成,孔径均匀,GaN和 ITO 表面纳米图形的占空比分别为0.5和0.2,呈三角排列圆形孔状晶体结构;通过表面晶体结构的排列方式进行光子能带模拟,两种纳米图形均存在光子禁带,为典型的二维光子晶体结构.与传统LED比较,含ITO纳米图形和GaN纳米图