【摘 要】
:
设计并生长了可用于键合的、发光波长在1.2-1.3 微米GaAs 基InAs 量子点材料,采用光刻胶做掩膜制作光子晶体图形,采用湿法腐蚀进行光子晶体刻蚀的工作,测量光子晶体结构InAs/GaAs 量子点发光特性;利用ZnO 溶胶凝胶或ITO透明导电材料将InAs/GaAs 量子点材料与硅波导进行键合.
【机 构】
:
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京1000083 中国科学院半导体研究所材料科
【出 处】
:
第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会
论文部分内容阅读
设计并生长了可用于键合的、发光波长在1.2-1.3 微米GaAs 基InAs 量子点材料,采用光刻胶做掩膜制作光子晶体图形,采用湿法腐蚀进行光子晶体刻蚀的工作,测量光子晶体结构InAs/GaAs 量子点发光特性;利用ZnO 溶胶凝胶或ITO透明导电材料将InAs/GaAs 量子点材料与硅波导进行键合.
其他文献
利用射频溅射法在高温热氧化的N 型硅衬底上沉积Y 和Er 共掺的TiO2(TiO2:Y,Er)薄膜,并制备了ITO/TiO2:(Y,Er)/SiO2/Si 结构的发光器件。与TiO2:Er 薄膜发光器件相比,共掺Y 的器件在可见光区与红外光区的由碰撞离化机制主导的与Er3+相关的电致发光均得到显著增强。研究发现,通过Y 的共掺,可以促使TiO2 基体由单一的锐钛矿相转变为以金红石相为主,并且TiO
基于变温、变探测时间的PL 谱,我们深入剖析了亚ns 到ns 时间范围内a-SiNx:O 薄膜N-Si-O 发光缺陷态时间演化的瞬态PL 动力学过程,证实了缺陷态发光机制.我们进而揭示了室温下a-SiNx:O 薄膜的辐射复合速率kr= 1.28×108 s-1,如此快的kr 可与直接带隙CdSe 纳米晶中的结果相比拟,说明了a-SiNx:O 薄膜高荧光效率的物理原理.
在硅基光互联的研究中,量子点发光一直是人们研究的热点,Purcell 效应则常被用来增强量子点的发光效率。而在原子物理中,光学相干和量子干涉是控制自发辐射的基本要素。随着相干控制光学[1]和超材料结构[2]技术的发展,用相干光控制量子点对光的吸收和发射[3]成为人们研究量子点发光的一个选项。通常相干控制技术的实现取决于超材料结构的设计[4]。我们设计了可调谐的一个相干完美吸收结构,它可以利用将量子
近年来,随着光通信技术的发展,一种能够集成在同一个芯片上的包含光源、波导、调制器、探测器等的光互联系统的需求被提出.目前,要实现近红外,如光通信波长范围内的硅基光源发光效率的提高,采用基于Purcell 效应的局域表面等离子体共振增强技术是一条值得理论和实验探索的技术方案.基于近红外低损耗表面等离子体材料ITO,我们提出了一种Bowtie - Cylinder 的新结构.建立在有限元方法FDTD
采用磁控溅射的方法在Si(100)衬底上生长出高Sn 组分(<0.2)非晶GeSn薄膜,在快速热退火处理后结晶为多晶GeSn 薄膜.GeSn 合金中的Sn 组分越高,结晶温度相应会下降,并且较低温度的热退火处理可以减少Sn 偏析,有利于结晶质量的提高.
The reported Ⅲ-Ⅴ/Si hybrid lasers are almost transverse–electric(TE)polarized,here we propose a Ⅲ-Ⅴ/Si hybrid laser,whose output is dominantly transverse magnetic(TM)light.The essential element of the