【摘 要】
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设计并生长了可用于键合的、发光波长在1.2-1.3 微米GaAs 基InAs 量子点材料，采用光刻胶做掩膜制作光子晶体图形，采用湿法腐蚀进行光子晶体刻蚀的工作，测量光子晶体结构InAs/GaAs 量子点发光特性；利用ZnO 溶胶凝胶或ITO透明导电材料将InAs/GaAs 量子点材料与硅波导进行键合.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京1000083 中国科学院半导体研究所材料科
【出 处】
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第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会
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设计并生长了可用于键合的、发光波长在1.2-1.3 微米GaAs 基InAs 量子点材料，采用光刻胶做掩膜制作光子晶体图形，采用湿法腐蚀进行光子晶体刻蚀的工作，测量光子晶体结构InAs/GaAs 量子点发光特性；利用ZnO 溶胶凝胶或ITO透明导电材料将InAs/GaAs 量子点材料与硅波导进行键合.
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