【摘 要】
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采用溶剂热法制备了几种不同形貌的Tb3+单掺杂及Tb3+,Eu3+共掺杂的YF3磷光体,如椭圆,八面体,平行六面体,纺锤及纳米粒子聚合体.产物的形貌可以通过乙二醇与水的体积比,溶剂的种类及反应时间等因素来控制.给出了表面粗糙的平行六面体结构的可能形成机理.另外,研究了平行六面体状的Tb3+单掺杂及Tb3+,Eu3+共掺杂的YF3磷光体的发光性质.在367 nm紫外光激发下,在YF3：Tb3+样品中
【机 构】
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大连海事大学物理系,辽宁大连116026 大连民族学院生命科学学院,辽宁大连116600
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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采用溶剂热法制备了几种不同形貌的Tb3+单掺杂及Tb3+,Eu3+共掺杂的YF3磷光体,如椭圆,八面体,平行六面体,纺锤及纳米粒子聚合体.产物的形貌可以通过乙二醇与水的体积比,溶剂的种类及反应时间等因素来控制.给出了表面粗糙的平行六面体结构的可能形成机理.另外,研究了平行六面体状的Tb3+单掺杂及Tb3+,Eu3+共掺杂的YF3磷光体的发光性质.在367 nm紫外光激发下,在YF3：Tb3+样品中观察到了Tb3+离子的特征发射,分别对应于5D4→7F6,5,4,3跃迁.随着Eu3+离子的引入,在YF3：Tb3+,Eu3+样品中除观察到Tb3+离子的特征发射外,也观察到了Eu3+离子的特征发射,观察到了Tb3+→Eu3+间存在能量传递.而且,Tb3+→Eu3+能量传递效率随着Eu3+浓度的增加而增加,发光颜色也能够从绿色调节到红色.Tb3+→Eu3+能量传递类型被证明为电偶极-电偶极相互作用.
其他文献
许多研究结果表明,ZnO同质p-n结的电致发光来自p型ZnO层的缺陷发光,且波长都是在可见波段,而不是紫外波段。实现紫外发光的关键是找到合适的垒层材料,制备量子阱型或p-i-n结型发光二极管。近年来,MgZnO合金被认为是理想的垒层材料。但同ZnO一样,p型MgZnO的制备一直非常困难,成为影响MgZnO在紫外发光二极管中应用的瓶颈。因此,研究Mg对MgZnO本征缺陷和受主掺杂行为的影响规律和机制
本文采用高纯金属锌作为Zn源、NO作为O源和N掺杂源,利用等离子辅助分子束外延(P-MBE)技术,在c-面蓝宝石衬底上,通过调制Zn源温度外延生长了氮掺杂的氧化锌合金薄膜(ZnO：N).通过拉曼光谱(Raman),光致发光谱(PL),X射线光电谱(XPS)及霍尔测试仪对薄膜的光电特性进行表征.结果表明,ZnO：N的光电特性随着Zn源温度的变化而发生较明显的变化.随着Zn源温度的增加,Raman谱中
用等离子体辅助分子束外延方法,用Li-N作为双受主掺杂剂得到了p-ZnO薄膜.在此基础上构建了p-ZnO：(Li,N)/i-ZnO/n-ZnO结构光电探测器,并研究了其光响应特性.图1所示为器件的Ⅰ-Ⅴ特性曲线,由图可见器件具有典型的整流特性,开启电压大约为6V.图2所示为器件的光响应谱线,从图中可以看到,在0V偏压下,器件在380 nm处有一个明显的响应峰值,响应度为0.45 mA/W.据我们所
ZnO,作为短波长光电器件的优选材料,由于氧空位、锌填隙或者生长过程中引入的H等原因呈现n型电导.要实现ZnO的P型转变,理论上可以通过掺杂I,V族元素来实现.Ag作为IB族元素,与IA族一样,可以通过Ag替位Zn形成受主.同时Ag离子半径较大,可有效避免形成填隙原子成为施主缺陷.就此本文以AgNO3作为掺杂源并利用电化学沉积方法制备了Ag掺杂的ZnO纳米线.采用SEM、XRD和PL对样品的形貌,
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术以蓝宝石为衬底在GaN膜上外延生长了厚度为120nm的In0.24Ga0.76N薄膜,并用自组织Ni颗粒作为掩膜结合电感耦合等离子体刻蚀(ICP)形成InGaN/GaN纳米柱.对于薄膜样品和纳米柱样品,在7～200K的测试温区内,InGaN层光致发光(PL)波长与温度的关系均表现出典型的"S"型变化.与薄膜相比,10K下纳米柱阵列InGaN层的发光强度增加
GaN及其合金化合物(InGaN,AlGaN),由于具有独特的光学性质,因此在半导体照明(如LED)及半导体激光器(LD)上有着重要的应用。然而,目前的GaN材料及器件,主要是利用异质外延的方法生长,因此不可避免的与衬底之间存在晶格失配和热失配,从而导致大量位错的产生(往往高达108-109/cm2)。所以,研究位错对GaN光学性质的影响,对了解GaN发光器件失效的机理,提高其发光效率,具有重要的
ZnO作为一种宽带隙半导体,由于具有3.37eV的带隙和高达60meV的激子束缚能等优异特性,已经引起了人们的广泛关注,尤其是在发光二极管和激光应用方面具有巨大潜力.C面蓝宝石衬底由于具有高的结晶质量,通常被作为GaN和ZnO等材料的衬底,但是与ZnO之间晶格失配高达18％,由于晶格不匹配,导致ZnO薄膜中存在大量的晶格缺陷.在本文中,我们讨论了不同取向的蓝宝石衬底(c面,r面和a面)蓝宝石对Zn
阻抗谱是测量有机电致发光器件电学特性和界面行为的重要方法。本文制备了交互穿插界面结构为ITO/NPB/CBP+Ir(ppy)3(xnm)/Al有机电致磷光器件,以CBP(4,4-N,N-二咔唑联苯)为主体材料,Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)铱)为磷光掺杂剂,NPB为空穴传输层。利用阻抗谱对不同厚度发光层的磷光器件进行研究,通过频率-电容曲线、电压-电容曲线分析器件的界面电荷俘获以及注入电荷动
在分析有机电致发光器件等效电路模型的基础上，利用NPB、AlQ3以及水溶性CuPc制备了结构为：ITO(15 Ω/□)/CuPc(不同浓度)/NPB(20 nm)/AlQ3(50 nm)/LiF(1 nm)/Al； ITO (60 Ω/□)/CuPc(不同浓度)/NPB(20 nm)/AlQ3(50nm)/LiF(1 nm)/Al的两组有机电致发光器件。研究了器件串联电阻对其伏安特性，发光亮度的影
氮化物或氮氧化物发光材料由于其良好的热稳定性、化学稳定性,及其优良的发光性质而受到广泛关注.在本项研究中,以容易获得的CaCO3,Al2O3,Eu2O3和α-Si3N4为反映原料,在N2气氛下,通过热碳还原氮化法,成功制备得到了α-SiAlON：Eu(Ca0.8Si9.2Al2.8O1.2N14.8：xEu2+(X=0～0.24).获得样品呈直径为～0.6μm、长为～2.5μm的棒状晶粒,在紫外到