【摘 要】
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MgZnO合金因其具有大的激子束缚能、连续可调的宽带隙和较低的生长温度等优点,使其成为制备深紫外发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的候选材料。为了增大LED和LD器件的辐
【机 构】
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紫外光发射材料与技术教育部重点实验室,东北师范大学,吉林长春130024
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MgZnO合金因其具有大的激子束缚能、连续可调的宽带隙和较低的生长温度等优点,使其成为制备深紫外发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的候选材料。为了增大LED和LD器件的辐射复合效率,MgZnO基量子阱常被用作LED/LD的激活层。目前,研究较多的为ZnO/MgZnO量子阱[1,2]。为了能得到波长更短的深紫外光发射,就需要将MgZnO作为阱层,此时,可以选择宽带隙的MgO作为垒层,构建MgZnO/MgO量子阱。在这样的结构中,MgO和MgZnO之间具有较大的导带带阶和价带带阶,可以更大地提高载流子辐射复合效率。
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