2～3μm GaAs基InAs/GaSb超晶格材料

来源 :2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cebianwo670

【摘要】

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本文采用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10 K光荧光谱峰值波长在2～2.6 μm.高分辨透射电子显微镜

【作者】

：

郝瑞亭徐应强周志强任正伟牛智川

【机构】

：

中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083

【出处】

：

2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会

【发表日期】

：

2007年期

【关键词】

：

超晶格材料红外探测器件显微镜观察分子束外延光荧光谱峰值波长体材料缓冲层高分辨周期透射界面厚度方法电子衬底

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本文采用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10 K光荧光谱峰值波长在2～2.6 μm.高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整.InAs/GaSb超晶格材料的成功生长是制备这类红外探测器件重要的第一步.

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