红外探测器材料相关论文
对抛光后的HgCdTe晶片进行了剥层位错腐蚀研究,得到了HgCdTe晶片中位错密度随深度变化的分布情况.表层经腐蚀剥除后,用位错密集区......
InGaAs是直接带隙材料，具有高电子迁移率、低背景载流子浓度、均匀的厚度、平整的界面，良好材料稳定性，是一种理想短波红外探测器材料......
采用LPMOCVD技术生长了In0.53Ga0.47As红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元和1×8线列器件,......
本文采用LPMOCVD技术生长了In0.53Ga0.47As红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元和1×256线......
昆明物理研究所始建于1958年,是国内最早从事红外科学与技术研究的高新技术研究所之一,隶属于中国兵器工业集团公司。所区本部占地......
昆明物理研究所始建于1958年，是国内最早从事红外科学与技术研究的高新技术研究所之一，隶属于中国兵器工业集团公司。所区本部占地15......
昆明物理研究所始建于1958年，是国内最早从事红外科学与技术研究的高新技术研究所之一，隶属于中国兵器工业集团公司。所区本部占地15......
我们发现Hg1 -xCdxTe的拉曼散射峰随着温度的变化会发生频移 ,它的二级散射峰来自LO1 +LO1 ,LO1 +LO2 ,LO2 +LO2 ,并且它们的强度......
一、红外焦平面列阵1．适合空间和地面应用的多色长波红外焦平面列阵技术（Latika S．R．Becker）2．长波HgCdTe焦平面列阵用高性能辐射硬化增......
昆明物理研究所座落在四季如春的昆明市区，始建于1958年，占地156亩，建筑面积12万平方米。是国内最早从事红外科学与技术研究的高新技......
昆明物理研究所是国内最早从事红外科学与技术研究的高新技术研究所之一，隶属于中国兵器工业集团公司。始建于1958年，座落在四季如春......
信息材料信息材料是最活跃的新材料领域，微电子材料在未来10-15年仍是最基本的信息材料，光电子材料将成为发展最快和最有前途的信息......
昆明物理研究所始建于1958年，是国内最早从事红外科学与技术研究的高新技术研究所之一，隶属于中国兵器工业集团公司。所区本部占地15......
