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以自组织的Ni纳米岛做掩膜在LED外延片上成功制备出了直径在100-300nm之间,高度为700nm左右的LED纳米柱结构,并对纳米柱进行了结构和发光性质方面的一些测试。发现纳米柱在用稀HCl处理之后,发光强度增强了4倍,并且内量子效率有了很大程度的提高,所以认为稀HCl处理可以有效的去除纳米柱刻蚀带来的表面的损伤。