【摘 要】
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本文利用扫描电子显微镜(SEM)、电子束感生电流(EBIC)以及阴极荧光(CL)技术对氮化镓(GaN)基肖特基、PIN结型器件的截面进行了系统的测试分析。通过对EBIC的数据拟合得到不同G
【机 构】
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中科院半导体研究所 集成光电子学国家重点联合实验室,北京 100083
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文利用扫描电子显微镜(SEM)、电子束感生电流(EBIC)以及阴极荧光(CL)技术对氮化镓(GaN)基肖特基、PIN结型器件的截面进行了系统的测试分析。通过对EBIC的数据拟合得到不同GaN材料层的少了扩散长度。P区GaN中少子扩散长度为0.1μm左右,N区GaN中少子扩散长度约为0.6μm,非故意掺杂GaN中少子扩散长度大于1μm。通过对同一位置获得的SEM、EBIC、CL图像的比较,发现耗尽区的EBIC电流信号最强,而CL荧光信号较弱,二者信号强度大小呈互补关系。根据耗尽区的内建电场模型对这种现象做出很好的解释。
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